音圈电机在碳化硅SiC芯片脱蓝膜应用上有哪些优势？
音圈电机在碳化硅SiC芯片脱蓝膜应用上有哪些优势？
据同茂电机小编获悉：11月28日，华为常务董事、智能汽车解决方案BU董事长余承东表示，智界S7搭载全新华为“巨鲸”800V碳化硅高压电池平台，可实现充电5分钟续航215km，CLTC综合续航达855km。
今年以来800V车型密集发布，而碳化硅则是800V高压快充标配，已有小鹏G6、极氪X、智己LS6等多款20万-25万元价格段的标配碳化硅车型上市，未来仍将有同价格段车型如极氪007等上市。
，是目前全球最先进的第三代半导体材料。碳化硅功率器件应用领域广泛，新能源汽车是碳化硅功率器件主要应用市场之一，也是产业近年来的核心增长引擎。伴随高压平台逐渐落地，具有耐高压、耐高温、高频等优势的碳化硅器件能提升新能源汽车充电效率，同等电量实现更长续驶里程，提升整车驾驶性能。
相较于硅基功率器件，碳化硅功率器件采用碳化硅为衬底，可实现功率模块的小型化和轻量化；在相同规格的条件下，碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可以大幅减小至原来的1/10，导通电阻也至少降低至原来的1/100。这导致碳化硅基MOSFET相较于硅基IGBT总能量损耗大幅降低70%。
碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，也是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，世界各国对SiC的研究非常重视，可以预计，碳化硅上车已是大势所趋，“得碳化硅者得天下”不是戏言！
除了我们日常接触的电动汽车、5G通信、轨道交通外，在国防、航空航天等重点领域，碳化硅晶片都具有广阔的应用前景，由于其不可替代的优势，被视作国家新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。
同茂音圈电机了解国内主要碳化硅SiC生产厂家主要有：
三安光电，碳化硅全产业链龙头:公司电力电子产品主要为高功率密度碳化硅二极管、MOSFET及硅基氮化家产品;湖南三安碳化硅产业链包括长晶一村底制作一外延生长一芯片制备一封装，碳化硅产能6.000片/月，碳化硅村底已向多家国际大厂送样验证，已获得客户的验证通过并实现销售
天岳先进，国内领先的第三代半导体村底材料生产商;主要从事碳化硅村底的研产销，主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底，6英寸产品已送样至多家国内外知名客户;公司自主研发出半绝缘型碳化硅衬底产品，实现我国核心战略材料的自主可控，市占率连续三年保持全球前三
闻泰科技，公司在SiC领域已推出工业级650V的SiC二级管，初始目标市场是工业类应用，同时也在推动车规级器件，用于车辆电气化应用
麦格米特，公司对外投资企业上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，已完成国内第一个基于6英寸碳化硅晶圆的SiC MOSFET和SBD工艺平台开发；
苏州固锝，公司SiC小批量生产的主要为碳化硅肖特基产品
露笑科技，公司碳化硅业务主要为碳化硅衬底片和长晶炉的生产和销售，已成功研发6英寸的导电型碳化硅衬底片，村底质量与国外厂家基本保持一致水准，并开始批量生产，处于全球先进水平。
那音圈电机在碳化硅SiC芯片脱蓝膜应用上有哪些优势？
碳化硅（SiC）衬底是莫氏硬度达9.2的高硬度脆性材料，因而在晶圆制备和封测过程中，容易出现翘曲、开裂等问题。
封测过程，需要对晶圆进行划片、贴片、键合、检验等一系列工艺，涉及到对“裸晶”的高频、高速、精准“拾取”的操作。因此，更先进的贴片机、固晶机、键合机等封测设备是降低“破片率”，提高封装良率的关键，能有效降低第三代半导体器件应用成本。
音圈电机精准力控软着陆，降低损耗。同茂直线旋转电机带有“软着陆”功能，搭配小推力常数音圈电机可实现±1g以内的稳定力度控制，支持速度、加速度及力度控制的程序化设定，使贴装头能够以非常精准的压力触碰芯片表面，降低损耗；采用中空Z轴设计，预留气管接口，真空吸取、即插即用，并可根据元件结构及特性提供定制化服务。
精密导轨光栅高精度对位、贴片，保证良率。微米级光栅位置反馈，获取精准数据，±0.01N力控精度，±2μm直线重复定位精度，±0.01°旋转重复定位精度，径向偏摆小于10μm，编码器分辨率标准1μm，可在高速运行状态下仍稳定输出，提升良率及可靠性。
同茂直线旋转音圈电机“Z+R”轴集成设计，提升速度。
创新性的双轴集成化解决方案，将传统“伺服马达+滚珠丝杆”合二为一，解决了Z轴自重负载问题，高速、精准完成元件Pick & Place，贴装等动作，推力曲线平滑，峰值推力8-50N，有效行程10-50mm ，超高循环寿命，实现高效生产。体积小，重量轻，可电机组合排列
同茂直线旋转电机轻巧的机身重量大大减轻了设备高速运动中负载带来的影响。电机厚度仅为20mm，在设备有限的内部空间中可以并排安装多组电机，减少芯片贴装往复运动过程，提升设备贴装效率。
